本周，兆馳半導(dǎo)體、芯聚半導(dǎo)體、強(qiáng)力巨彩、辰顯光電等4企業(yè)接連披露Micro LED相關(guān)專利最新進(jìn)展，涉及Micro-LED外延片制備、Micro LED芯片結(jié)構(gòu)、Micro LED承載基板等，致力于提升Micro LED的發(fā)光亮度、可靠性、轉(zhuǎn)移良率等。

　　■ 兆馳半導(dǎo)體：Micro-LED外延片及其制備方法

　　7月29日，兆馳半導(dǎo)體“Micro-LED外延片及其制備方法”的發(fā)明專利進(jìn)入審中公布階段。

　　MicroLED外延片的多量子阱發(fā)光層包括依次層疊的第一子層、第二子層和第三子層，第一、第二和第三子層均包括周期性交替層疊的阱前保護(hù)層、InGaN量子阱層、阱后保護(hù)層和量子壘層;

　　第一子層和第三子層中InGaN量子阱層的In組分占比均小于第二子層中InGaN量子阱層的In組分占比;阱前保護(hù)層包括依次層疊的第一InGaN阱前保護(hù)層、AlGaN阱前保護(hù)層和第二InGaN阱前保護(hù)層，阱后保護(hù)層包括依次層疊的InGaN阱后保護(hù)層、AlGaN阱后保護(hù)層和GaN阱后保護(hù)層。實(shí)施本發(fā)明，可以提升Micro LED的發(fā)光亮度。

　　■ 芯聚半導(dǎo)體：Micro-LED芯片結(jié)構(gòu)及其制作方法

　　蘇州芯聚半導(dǎo)體有限公司“Micro-LED芯片結(jié)構(gòu)及其制作方法”的發(fā)明專利進(jìn)入有效授權(quán)階段。

　　本發(fā)明揭示了一種MicroLED芯片結(jié)構(gòu)，所述芯片結(jié)構(gòu)包括透光基板、形成于透光基板上的外延層，外延層包括n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和p型半導(dǎo)體層，發(fā)光層形成于n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層之間，還包括反射層，反射層的光反射率大于外延層的光反射率;反射層完全覆蓋外延層側(cè)表面，以及部分覆蓋透光基板側(cè)表面。

　　減少芯片側(cè)面出光，提高M(jìn)icroLED光取出率，降低能量損失，實(shí)現(xiàn)具有高亮度顯示屏的要求;側(cè)面包覆反射層，也能夠阻止外延層內(nèi)金屬遷移，避免芯片正面切割工藝帶來的切深、切寬對(duì)總體制作良率、裂痕、雙晶甚至翻轉(zhuǎn)損失的影響，提高M(jìn)icroLED芯片的可靠性。

　　■ 強(qiáng)力巨彩：一種Micro-LED芯片承載基板及其制造方法

　　7月29日，廈門強(qiáng)力巨彩光電科技有限公司“一種Micro-LED芯片承載基板及其制造方法”的專利進(jìn)入有效授權(quán)階段。

　　該MicroLED芯片承載基板包括基板、背面與基板正面連接的連接層以及若干個(gè)設(shè)置于連接層正面的微結(jié)構(gòu)，微結(jié)構(gòu)具有彈性，各微結(jié)構(gòu)呈陣列分布于連接層正面。

　　本發(fā)明的MicroLED芯片承載基板用于與MicroLED芯片進(jìn)行臨時(shí)鍵合，當(dāng)采用激光剝離技術(shù)(LLO)將MicroLED芯片與藍(lán)寶石襯底相剝離時(shí)，該MicroLED芯片承載基板能有效避免MicroLED芯片發(fā)生開裂和/或位置偏移。

　　■ 辰顯光電：顯示面板及其制備方法、顯示裝置

　　7月29日，成都辰顯光電有限公司“顯示面板及其制備方法、顯示裝置”相關(guān)發(fā)明專利進(jìn)入有效授權(quán)階段。

　　顯示面板的制備方法包括提供預(yù)制封裝基板;將轉(zhuǎn)移基板上的多個(gè)MicroLED芯片轉(zhuǎn)移至預(yù)制封裝基板;將設(shè)有多個(gè)MicroLED芯片的預(yù)制封裝基板與驅(qū)動(dòng)基板鍵合，使得多個(gè)MicroLED芯片與驅(qū)動(dòng)基板電連接。

　　通過上述制備方法，無需在驅(qū)動(dòng)基板上設(shè)置具有導(dǎo)電作用的緩沖膠合層，即可實(shí)現(xiàn)將MicroLED芯片轉(zhuǎn)移至驅(qū)動(dòng)基板，且MicroLED芯片與驅(qū)動(dòng)基板電連接。